高真空磁控溅射系统

技术参数：

1高真空腔体：2个腔体,包括负荷锁及Sputtering,极限真空，极限压力<5e-9 Torr

2排气速率：从ATM到1E-7 Torr<20分钟(负载锁)

3样品台：**4寸Wafer，可加热RT-300ºC

4磁控溅射：600 W直流或射频电源

5基板传输：高度可靠和可重复的基板传输能力

6人机界面：全自动化人机操作界面

7安全：工业标准安全互锁，工业安全联锁，报警装置

厦门韫茂科技有限公司凭借在先进材料设备业务方面多年的经验，韫茂为新型芯片，半导体和锂电池领域的新材料开发和生产，提供***的纳米工艺设备和服务解决方案。根据您的特殊需求，我们为您定制打造创新纳米加工平台，保证高品质的设计，多功能，易于使用的界面，严格的安全控制，以及快速的交付和服务。