双腔室UHV磁控溅射镀膜系统

技术参数：

1超高真空腔体：2个超高真空腔体，包括负荷锁及Sputtering,极限真空极限压力<3e-9 Torr

2排气速率：ATMto1E-7 Torr<20分钟（负载锁）

3离基板加热 ：RT-900ºC

4离子束清洗：考夫曼离子源,离子能量100-600 eV， 100-1200eV; 离子束电流：:20-200mA,或100基板刻蚀

5溅射：直流或射频电源，基板与靶材距离连续可调，晶圆和靶空间可以连续变化

6基板传输：高度可靠和可重复的基板传输能力

7人机界面：全自动化人机操作界面

8安全：工业标准安全互锁，工业安全联锁，报警装置

厦门韫茂科技有限公司凭借在先进材料设备业务方面多年的经验，韫茂为新型芯片，半导体和锂电池领域的新材料开发和生产，提供***的纳米工艺设备和服务解决方案。根据您的特殊需求，我们为您定制打造创新纳米加工平台，保证高品质的设计，多功能，易于使用的界面，严格的安全控制，以及快速的交付和服务。