双腔型超高真空蒸镀系统

 技术参数：

1高真空腔体：2个高真空腔体包括负荷锁及Evaporation,极限真空极限压力<2e-8 Torr

2排气速率：ATM到3E-7 Torr<20分钟(装载锁)

3基板加热：RT-600ºC

4离子束清洗：考夫曼离子源,离子能量100-600 eV， 100-1200eV; 离子束电流：:20-200mA,或100基板刻蚀
均一性<3%

5高压电源：6-10千瓦电源，1-6源口袋

6成膜均匀性：<3%（6inch  Wafer）

7基板传输：高度可靠和可重复的基板传输能力

8人机界面：全自动化人机操作界面

9安全：工业标准安全互锁，工业安全联锁，报警装置