产品名称

中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨

英文名称：Single Layer WSe2 on SiO2/Si

性质

形态：薄膜

参数

基底尺寸：9 mmx9 mm

WSe2片径范围：20-50 μm

氧化层：300nm

厚度：0.6-0.8 nm

应用

先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硒化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。